Samsung 50 nanometre teknolojisini kullanarak 4 GB kapasiteli bellek çipleri üreteceğini duyurdu. DDR3 bellek çipleri sayesinde daha az enerjiyle çok daha fazla bellek miktarı sunulabilecek.
Samsung hem doğaya saygı hem de performans anlamında önemli bir gelişmeye imza attı. 50 nanometre teknolojisiyle üretilecek bellek bileşenleri 16 GB kapasiteli çift sıra sunucu, 8 GB kapasiteli iş ve kişisel bilgisayarlar ve 8 GB kapasiteli dizüstü bilgisayar belleklerinden oluşuyor. DDR3 bellekler küçük kardeşi DDR2'ye oranla önemli avantajlara sahip. Sadece sekiz kat daha hızlı veri iletişimi sağlamakla kalmıyor, %30 daha az enerji kullanımı sayesinde tasarruf sağlayarak doğayı daha az kirletiyor.
İki yüzünde 16 GB kapasteli çiplerle toplamda 32 GB bellek üretimini mümkün hale getiren Samsung, bellek teknolojisinde bir önceki ürünlerin iki katı kapasite sunuyor. Kullanılan son teknoloji sayesinde bellekler 1.35 volt enerji ile ve maksimum 1.6 Gbit/sn veri transfer hızıyla çalışıyor. Bu teknolojiyle üretilen örneğin 16 GB kapasiteli bir bellek, önceki teknolojiyle üretilen 2 GB kapasiteli DDR3 belleklerden %40 daha az enerji tüketiyor. Çünkü daha yoğun işleme sağlayan olan 50 nanometre teknolojisi ile çip sayısı yarıya düşürülüyor.
DDR3 belleklerin kullanımının hızla yayılması bekleniyor. Bu yıl toplam bellek pazarının %29'unu oluşturan DDR3'ün 2011 yılında %72'yi bulması bekleniyor.